深圳市永贝尔半导体有限公司

规格
产品属性属性值选择属性
制造商: onsemi 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
REACH - SVHC: 详细信息 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 40 V 
Id-连续漏极电流: 101 A 
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V 
Qg-栅极电荷: 75 nC 
工作温度: - 55 C 
工作温度: %2B 175 C 
Pd-功率耗散: 93.75 W 
通道模式: Enhancement 
系列: NTD5802N 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
商标: onsemi 
配置: Single 
下降时间: 8.5 ns 
正向跨导 - 值: 16.8 S 
高度: 2.38 mm 
长度: 6.73 mm 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 52 ns 
工厂包装数量: 2500 
子类别: MOSFETs 
晶体管类型: 1 N-Channel 
类型: Power MOSFET 
典型关闭延迟时间: 39 ns 
典型接通延迟时间: 14 ns 
宽度: 6.22 mm 
单位重量: 330 mg   规格
产品属性属性值选择属性
制造商: onsemi 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
REACH - SVHC: 详细信息 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 40 V 
Id-连续漏极电流: 101 A 
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V 
Qg-栅极电荷: 75 nC 
工作温度: - 55 C 
工作温度: %2B 175 C 
Pd-功率耗散: 93.75 W 
通道模式: Enhancement 
系列: NTD5802N 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
商标: onsemi 
配置: Single 
下降时间: 8.5 ns 
正向跨导 - 值: 16.8 S 
高度: 2.38 mm 
长度: 6.73 mm 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 52 ns 
工厂包装数量: 2500 
子类别: MOSFETs 
晶体管类型: 1 N-Channel 
类型: Power MOSFET 
典型关闭延迟时间: 39 ns 
典型接通延迟时间: 14 ns 
宽度: 6.22 mm   
单位重量: 330 mg
规格
产品属性属性值选择属性
制造商: onsemi 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
REACH - SVHC: 详细信息 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 40 V 
Id-连续漏极电流: 101 A 
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V 
Qg-栅极电荷: 75 nC 
工作温度: - 55 C 
工作温度: %2B 175 C 
Pd-功率耗散: 93.75 W 
通道模式: Enhancement 
系列: NTD5802N 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
商标: onsemi 
配置: Single 
下降时间: 8.5 ns 
正向跨导 - 值: 16.8 S 
高度: 2.38 mm 
长度: 6.73 mm 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 52 ns 
工厂包装数量: 2500 
子类别: MOSFETs 
晶体管类型: 1 N-Channel 
类型: Power MOSFET 
典型关闭延迟时间: 39 ns 
典型接通延迟时间: 14 ns 
宽度: 6.22 mm 
单位重量: 330 mg  
场效应管场效应管场效应管场效应管